PVA TePla Wärmebehandlungsöfen

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Drehtrommel Ofen
Drehtrommel Ofen
COV

Maximaltemperatur: 0 °C - 2.200 °C
Kapazität: 4,5, 9,5, 180, 4.400, 2.250 l

Wärmebehandlungsanlagen der Baureihe COV sind besonders leistungsfähige Anlagen mit großem Arbeitstemperaturbereich. Sie sind durch den Einsatz verschiedenster Gase und aufgrund vollautomatisierter Prozeßabläufe speziell für den wirtschaftlichen ...

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Drehtrommel Ofen
Drehtrommel Ofen
IOV

Maximaltemperatur: 1.600 °C - 2.200 °C
Kapazität: 34 l - 338 l

Induktiv beheizte Vakuum-Wärmebehandlungsanlagen mit hohen Betriebstemperaturen speziell für die Hartstoffherstellung. Standardisierte Komponenten für ein breites Einsatzspektrum und Nutzraumvolumen von 34 bis 338 l. Applikationen: IOV-Anlagen ...

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PVA TePla Group
Glockenofen
Glockenofen
VSG

Maximaltemperatur: 2 °C - 2.000 °C
Kapazität: 0,1 l - 60 l

Bewährte und wirtschaftliche Lösung für das induktive Erschmelzen von Werkstoffen unter Vakuum-/Schutzgas-Atmosphäre und das anschließende Vergießen zu Blöcken oder Formteilen. Applikationen: Universeller Einsatz zum Schmelzen und ...

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PVA TePla Group
Drehtrommel Ofen
Drehtrommel Ofen
SSH Smart Sinter HIP

Maximaltemperatur: 1.600 °C
Kapazität: 400 l

Der SSH ist eine standardisierte Vakuum-Drucksinteranlage zur wirtschaftlichen Herstellung von Hartmetallteilen. Die Anlage vereint die Prozesse Entwachsen, Vakuumsintern und Drucksintern bis zu 60 bar. Basierend auf jahrelanger Erfahrung ...

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Kammerofen
Kammerofen
PulsPlasma®

Maximaltemperatur: 600 °C

Das Nitrieren, fachsprachlich auch Aufsticken genannt, ist ein Wärmebehandlungsverfahren zur Anreicherung der Bauteilrandzone mit Stickstoff. Werden zeitgleich Stickstoff und Kohlenstoff zugeführt, spricht man von Nitrocarburieren. Mit ...

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Glockenofen
Glockenofen
baSiC-T

Maximaltemperatur: 2.600 °C

Die neue baSiC-T der PVA TePla wurde speziell für moderne Anwendungen und Anforderungen im Bereich Power Electronic entworfen. Mittels PVT-Methode (Physical Vapor Transport) wird ein hochreiner Siliziumkarbid-Kristall durch Sublimation ...

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Glockenofen
Glockenofen
SiCube

Maximaltemperatur: 2.600 °C

... Die HTCVT / HTCVD-Anlage wurde speziell für das Kristallwachstum von Siliziumkarbid (SiC) durch Sublimation / thermische Zersetzung (Pyrolyse) von Quellgasen bei hohen Temperaturen entwickelt. Durch die Hochvakuumfähigkeit können vor ...

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