Sublimationsofen baSiC-T

KristallwachstumGlockenGas

Die neue baSiC-T der PVA TePla wurde speziell für moderne Anwendungen und Anforderungen im Bereich Power Electronic entworfen. Mittels PVT-Methode (Physical Vapor Transport) wird ein hochreiner Siliziumkarbid-Kristall durch Sublimation eines Ausgangspudermaterials bei hohen Temperaturen erzeugt. Die baSiC-T besitzt ein modulares Anlagenkonzept, so dass SiC Kristalle mit einem Durchmesser bis zu 6 Zoll produziert werden können. Neue Generation von SiC (PVT) Kristallzuchtanlagen Designed für Power Electronic Anwendungen Volumenproduktion mit hohem Automationsgrad Zentrale Produktionsüberwachung mittels Fab Management Software Kleine und kompakte Aufstellfläche Verfügbar als 4´´ und 6´´ Anlage Induktionsheizung mit erprobten Spulenkonzepten Niedriger Energieverbrauch (ca. 10KW bei 2.200 °C) Mobiles Hotzone Be- und Entladesystem Anspruchsvolles Kontrollsystem Intuitive Bedienung und hoher Automationsgrad Prozessvisualisierung mit umfangreicher Prozessdatenauswertemöglichkeit Offline Rezepterstellung Regelkreise sind parametrierbar Sehr gutes Sicherheitskonzept CE Konformität Sicheres Arbeiten durch Einsatz von mehrstufigen Sicherheitsvorrichtungen Qualitätsprüfungen und ausführliche Qualitätsdokumentation Enge Kooperationen von PVA TePla mit Kunden, Instituten und Zulieferfirmen