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Bourn And Koch Leistungstransistoren
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Strom: -0,5 A
Spannung: -50 V
... 50A02CH ist ein bipolarer Transistor, niedrige VCE(sat), PNP Single für Niederfrequenz-Allzweckverstärkeranwendungen. Anwendungen Niederfrequenz-Verstärker Hochgeschwindigkeitsschaltungen Kleiner Motorantrieb Muting-Schaltung Merkmale Hohe Kollektorstromfähigkeit Niedrige ...
Onsemi
Strom: 0,4 A - 45 A
Spannung: 36 V - 70 V
... ST bietet eine breite Palette an intelligenten 3- und 5-poligen Low-Side-Schaltern (OMNIFET) für die Automobilindustrie an, die auf der VIPower-Technologie (Vertical Intelligent Power) basieren. Diese firmeneigene Technologie ermöglicht die Integration ...
STMicroelectronics
Spannung: 7,5 V
... Der AFM906N ist für tragbare Zwei-Wege-Funkgeräte mit Frequenzen von 136 bis 941 MHz ausgelegt. Die hohe Verstärkung, Robustheit und Breitbandleistung dieses Geräts machen es ideal für Großsignal-, Common-Source-Verstärkeranwendungen in Handfunkgeräten Der ...
Spannung: 0,24 V - 3,5 V
Spannung: 110, 265 V
... Beschreibung: TOPSwitch-HX beinhaltet einen 700 V Leistungs-MOSFET, eine Hochspannungs-Schaltstromquelle, eine PWM-Steuerung, einen Oszillator, eine thermische Abschaltstufe, einen Fehlerschutz und andere Steuerschaltungen auf einem monolithischen Gerät. Geringere ...
Power Integrations
Strom: 1 A - 5 A
Spannung: 12 V - 400 V
... Diodes ist Marktführer, wenn es um Bipolartransistoren geht. Durch die breite Palette an eigenen Gehäusen und die überlegene Siliziumtechnologie ist Diodes ideal positioniert, um Ihre Anwendungsanforderungen an Bipolartransistoren zu erfüllen. Kontinuierliche ...
Spannung: 45 V
... Die CENTRAL SEMICONDUCTOR-Typen BCX51, BCX52 und BCX53 sind PNP-Siliziumtransistoren die im Epitaxie-Planar-Verfahren hergestellt und in einem oberflächenmontierten Gehäuse vergossen werden und für allgemeine Hochstrom-Verstärkeranwendungen konzipiert ...
Central Semiconductor
... Avago verfügt über ein umfangreiches Portfolio an bipolaren Silizium-HF-Transistoren und GaAs-FETs Die GaAs FET-HF-Transistoren sind ideal für die erste oder zweite Stufe der Basisstation LNA aufgrund der hervorragenden Kombination aus niedrigem Rauschmaß ...
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