· Prozessmerkmale mit niedrigem Druck und heißen Wänden, die eine bessere Schichtgleichmäßigkeit und eine gute Kompaktheit gewährleisten.
· LPCVD-Verfahren: Dicht beladene Substrate haben nur geringen Einfluss auf die Beschichtungsrate, wobei eine hohe Beladungskapazität in einem einzelnen Rohr gegeben ist.
· Mehr Temperaturzonen, um die Gleichmäßigkeit zwischen den Wafern zuverlässig zu gewährleisten.
· Unabhängig einstellbarer, segmentierter Lufteinlass zum Ausgleich des Luftdurchsatzverlusts.
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