Trockenreinigungsanlage SC-CSZJ9600E-20F

Wasserfür WaferProzess

Wird für die Entfernung und Reinigung der diffundierten Siliziumscheiben verwendet. Prozessablauf Wrap Around Removal→Post-clean→Acid Clean→Post-clean→Acid Clean→Hot Water Drying→Drying (als Referenz) - Durchsatz: 400 Stück/Charge, 9600 Stück/Stunde (210mm-Wafer), 480 Stück/Charge, 12000 Stück/Stunde (182mm-Wafer). - Verschiedene Additivtechnologien verfügbar. - Waferdicke bis zu 120μm. - Mit Trockenreinigungsbereich und Selbstreinigungssystem. - Schneller Inline-Badwechsel. - Erhältlich mit MES, RFID-System, Inline-Gewichtsprüfung optional.