Lösung für Wafer Level Burn-In für Power MOS
Höhepunkte:
WLBI für Leistungstechnologien - Si, SiC, GaN
Kompatibel mit 6-, 8- und 12-Zoll-Wafern
Fähig zum Einbrennen des gesamten Wafers
Kosteneffektive Lösung für Zuverlässigkeits- und Lebensdauertests
Nutzt Standard-Waferprober-Technologie
Hauptmerkmale:
Parallelität: 160 Standorte bis 1600 Standorte
Spannung: bis zu 1,2KV pro Standort
Stromstärke: 2 mA pro Standort
Testaufbau:
Funktionsprüfung
HTGB
HTRB
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