Die physikalische Gasphasenabscheidung (PVD) ist ein Dünnschichtverfahren, bei dem leitende, halbleitende oder isolierende Materialien auf die Oberfläche eines Wafers aufgebracht werden. Es gibt verschiedene Formen von PVD: Sputtern, Aufdampfen, Ionenstrahlabscheidung. KLA bietet Produkte an, die auf der Sputtertechnologie basieren. Beim Sputtern liefert ein "Target" das Ausgangsmaterial, das in der Prozesskammer mit Ionen aus einem Plasma beschossen wird. Die Atome des Ausgangsmaterials werden in das Plasma geschleudert oder gesputtert, wo Reaktionen stattfinden können oder auch nicht (je nach Prozessgasmischung) und dann auf der Waferoberfläche kondensieren. Das SPTS Sigma® PVD-System unterstützt Wafergrößen von 100 mm bis 300 mm, und die fxP-Cluster-Plattform ermöglicht die Integration verschiedener Formen von Vorbehandlungs- und Abscheidungstechnologien, je nach den spezifischen Prozessanforderungen.
Std PVD
FO-WLP & Si UBM/RDL Cu Seed
Al Interconnect Metallisierung
Dünne Waferrückseite Metall
Piezo AlN/AlScN & Elektroden
Hi-Fill
Rückseiten-Viasamen
W-Plug Liner/Barriere
Erweiterte Hi-Fill
TSV Cu Barriere/Saatgut
W-Plug Liner/Barriere
Inspira
UBM/RDL Cu-Saatgut
Dünne Waferrückseite Metall
- Einzel-Wafer-Verarbeitung, verbessert die Ausbeute und On-Wafer-Leistung im Vergleich zur Stapelverarbeitung.
- Planares Target mit vollflächiger Erosion
- Schneller Targetwechsel, erhöht die Betriebszeit
- Zuverlässige Handhabung von zerbrechlichen, gedünnten oder verbogenen Wafern
- Super Uniformity"-Option für spezielle Anwendungen erhältlich
- Multi-Wafer-Entgasung zur Erhöhung des Durchsatzes bei langen (Niedrigtemperatur-) Entgasungsanwendungen
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