Auftragsmaschine / Hoch -PE-CVD SPTS Delta™

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Die plasmagestützte chemische Gasphasenabscheidung (PECVD) ist ein Verfahren, bei dem die Energie eines Plasmas zur Beschleunigung chemischer Reaktionen an der Waferoberfläche genutzt wird, um dünne Schichten bei Temperaturen unter 400 °C herzustellen. Durch energetischen Ionenbeschuss während der Abscheidung lassen sich die elektrischen und mechanischen Eigenschaften der Schichten gezielt einstellen. Die Delta™-PECVD-Systeme von SPTS werden für eine Vielzahl von Anwendungen in den Bereichen RF, Energie, Photonik und MEMS eingesetzt, insbesondere für Anwendungen, die eine niedrige Verarbeitungstemperatur erfordern. Das Delta™ fxP Clustersystem bietet eine umfassende Bibliothek von Prozessen für ein breites Spektrum an dielektrischen Schichten und mit Abscheidungstemperaturen von 80°C bis 400°C. Das System bietet außerdem Optionen für Einzel- und Multi-Wafer-Vorheizkammern zur Entgasung empfindlicher Substrate und die Möglichkeit der Randkontaktverarbeitung für die Wafer-Rückseitenabscheidung. SiN-Passivierung für Leistungsbauelemente mit geringer Leistung, Option für GaN mit geringer Beschädigung Großer Spannungsbereich, Niedertemperatur-Rückseitenschichten zur Bogenkompensation Hochgradig gleichmäßiges SiN für die Passivierung von MIM-Kondensatoren und GaAs-Bauteilen. Abgestimmte RI- und dotierte Schichten für aktive und passive Photonik Dielektrika für Verbindungsschichten Zwischenschicht-Dielektrika Merkmale -Wafergrößen von 75 mm bis 300 mm -Radialsymmetrischer Gasfluss für hervorragende Wafer-in-Wafer (WIW) Gleichmäßigkeit -Gemeinsame Kammerhardware für alle Filmtypen -Stapelablage in einer einzigen PECVD-Kammer mischfrequenz-Plasmafähigkeit für Stress-Tuning -Aktive Plattenkühlung für kritische Anwendungen bei niedrigen Temperaturen [<175°C] -Hohe Produktivität für Dickschichtanforderungen