Optisches Messsystem LMS IPRO series

für Waferfür Leiterplattenzur Kontrolle

Das Messsystem LMS IPRO7 für die Retikelregistrierung wurde entwickelt, um eine genaue und schnelle Verifizierung der Musterplatzierungsleistung von EUV- und optischen Retikeln für den 7nm-Designknoten zu ermöglichen. Das LMS IPRO7 bietet eine umfassende Charakterisierung von Fehlern bei der Platzierung von Reticle-Mustern und liefert Daten, die für E-Beam-Maskenschreiber-Korrekturen und die Qualitätskontrolle von Reticles während der Entwicklung und Produktion von Advanced Design Node Reticles verwendet werden. Mithilfe des proprietären modellbasierten Messalgorithmus von KLA misst das LMS IPRO7 den Fehler bei der Musterplatzierung sowohl für Targets als auch für mehrere Mustermerkmale auf dem Bauteil mit hoher Genauigkeit und ermöglicht so die Charakterisierung und Reduzierung von Fehlern, die durch Reticles in der IC-Fertigung entstehen. Anwendungen Qualifizierung von Absehen, Qualitätskontrolle von ausgehenden Absehen, Qualifizierung und Überwachung von Maskenschreibern, Überwachung des Absehenprozesses, Kontrolle der Waferstrukturierung Verwandte Produkte Maskenmetrologiesystem für den 10-nm-Designknoten, das sowohl die Messung von Standardregistriermarken als auch von On-Device-Mustermerkmalen unterstützt. Maskenmetrologiesystem für den 32nm/28nm Designknoten. Das LMS IPRO4 unterstützt Maskengrößen von 4" bis 8" und verfügt über eine in der Branche einzigartige, flexible Handhabungsfähigkeit. Klicken Sie auf die Schaltfläche "Kontakt", um weitere Informationen über neue und überholte Systeme zu erhalten.