IGBT-Transistor IKP39N65ES5

LeistungSchalt

Der hart schaltende TRENCHSTOP™ 5 S5 IGBT im TO-220-Gehäuse eignet sich für Anwendungen, die zwischen 10 kHz und 40 kHz schalten, und bietet eine hohe Stromdichte, einen hohen Wirkungsgrad, kürzere Markteinführungszyklen, eine Verringerung der Komplexität des Schaltungsdesigns und eine Optimierung der PCB-Materialkosten. Zusammenfassung der Merkmale Sehr niedrige VCEsat von 1,45 V bei 25°C 4-facher Ic-Impulsstrom (100°C Tc) Weiche Stromabfallcharakteristik ohne Schwanzstrom Symmetrisches, geringes Spannungsüberschwingen Gate-Spannung unter Kontrolle (keine Oszillation). Kein Risiko eines ungewollten Einschaltens des Bauelements und keine Notwendigkeit für Gate-Klemmung Maximale Sperrschichttemperatur Tvj = 175°C Qualifiziert nach JEDEC-Standards Vorteile Höchste Leistungsdichte im TO-220-Gehäuse Keine VCEpeak-Klemmschaltungen erforderlich Kein Bedarf an Gate-Klemmkomponenten Gutes EMI-Verhalten Hervorragend geeignet für Parallelschaltung Anwendungen Energiespeichersysteme EV-Laden Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)