Das DI2800 nutzt die Technologie der Streuintensitätssimulation zur Optimierung der Beleuchtungs- und Detektionsoptik und ermöglicht so eine hochempfindliche Prüfung von Defekten auf strukturierten Wafern, die während des Herstellungsprozesses entstehen. Es hat eine Erkennungsempfindlichkeit von 0,1 μm Standardpartikelgröße auf gespiegelten Wafern. Damit können selbst die unglaublich kleinen, 0,3 mm großen Chips untersucht werden, die in Halbleitergeräten im IoT- und Automobilbereich verwendet werden, wobei die Optimierung der Prüfsequenz eine Fehlerprüfgeschwindigkeit von über vierzig 200-mm-Waferblättern pro Stunde ermöglicht.
- Defekterkennung durch Hitachis originale Dunkelfeld-Inspektionsmethode
- Erhältlich für die Prozessüberwachung (Überwachung des Fertigungsprozesses) und das Screening (Auswahl nicht defekter Bauteile)
- Unterstützt φ100 mm, φ150 mm, φ200 mm gemusterte/nicht gemusterte Wafer
Inspektionsempfindlichkeit - Erkennung der Standardpartikelgröße
0.1 μm
Verarbeitungsleistung - Mindestens 40 Wafer pro Stunde
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