Silizium-Fotodiode S14537 series

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Si-Detektoren für hochenergetische Teilchen Die Serie S14537 sind großflächige Photodioden, die speziell für die direkte Detektion von hochenergetischen geladenen Teilchen und Röntgenstrahlen entwickelt wurden. Diese Detektoren werden auf einer Leiterplatte mit einer Öffnung zum Zweck der ΔE/E-Erkennung von geladenen Teilchen und Röntgenstrahlen montiert. Merkmale -Große Fläche -Niedriger Dunkelstrom -Hohe Spannungstoleranz S14537-320 Spezifikationen Lichtempfindliche Fläche : 28 × 28 mm Chipdicke : 320 ± 15 μm Dicke der toten Schicht (Vorderseite) : 1,5 μm Dicke der toten Schicht (Rückseite) : 20 μm Vollverarmungsspannung max. : 100 V Dunkler Strom max. : 50 nA Grenzfrequenz : 8 MHz Anschlusskapazität : 300 pF S14537-500 Spezifikationen Lichtempfindliche Fläche : 28 × 28 mm Chip-Dicke : 320 ± 15 μm Dicke der toten Schicht (Vorderseite) : 1,5 μm Dicke der toten Schicht (Rückseite) : 20 μm Vollverarmungsspannung max. : 100 V Dunkler Strom max. : 50 nA Grenzfrequenz : 8 MHz Anschlusskapazität : 300 pF