PIN-Fotodiode S14536 series

Silizium

Si-Detektoren für hochenergetische Teilchen Die Serie S14536 sind großflächige Photodioden, die speziell für die direkte Detektion von hochenergetischen geladenen Teilchen und Röntgenstrahlen entwickelt wurden. Diese Detektoren werden auf einer Leiterplatte mit einer Öffnung zum Zweck der ΔE/E-Erkennung von geladenen Teilchen und Röntgenstrahlen montiert. Merkmale -Große Fläche -Niedriger Dunkelstrom -Hohe Spannungstoleranz S14536-320 Spezifikationen Lichtempfindliche Fläche - 48 × 48 mm Chipdicke - 320 ± 15 μm Dicke der toten Schicht (Vorderseite) - 1,5 μm Dicke der toten Schicht (Rückseite) - 20 μm Vollverarmungsspannung max. - 100 V Dunkler Strom max. - 100 nA Grenzfrequenz - 3 MHz Anschluss-Kapazität - 860 pF S14536-500 Spezifikationen Lichtempfindliche Fläche : 48 × 48 mm Chipdicke : 500 ± 15 μm Dicke der toten Schicht (Vorderseite) : 1,5 μm Dicke der toten Schicht (Rückseite) : 20 μm Vollverarmungsspannung max. : 170 V Dunkler Strom max. : 200 nA Grenzfrequenz : 5 MHz Anschlusskapazität : 550 pF