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Hochspannungs-Widerstand-MOSFET CSLLDM22011-225F

Hochspannungs-Widerstand-MOSFET - CSLLDM22011-225F - Central Semiconductor
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Eigenschaften

Merkmal
Hochspannungs-Widerstand

Beschreibung

Diskrete Halbleiter für den Weltraum sind Bauelemente, die die Anforderungen an Zuverlässigkeit und Funktionalität für moderne Satellitenanwendungen erfüllen. warum Spacellite Geringere Kosten ohne Kompromisse bei Qualität und Zuverlässigkeit Erfüllt die Space 2.0-Methodik und -Richtlinien Ideal für Low Earth Orbit (LEO) Anwendungen für die neuesten Satellitentechnologien Äquivalent zu MIL-PRF-19500 und MIL-PRF-38534 Geräten produktmerkmale Hohe Spannungsfähigkeit Niedrige Gate-Ladung (QGS = 4,45nC TYP) Niedriger RDS(ON) (0,3Ω TYP) Abgeschirmt bis 10kRad TID Verschiedene andere Kunststoff- und hermetische Gehäuse möglich Optionale Golddrahtbindungen Muster auf Anfrage erhältlich Auch als Nacktchip erhältlich (CP399-DM11-225) Bei den Spacellite-Produkten handelt es sich um handelsübliche Geräte, die gemäß NASA PEM-INST-001 qualifiziert und zertifiziert sind. Sie erfüllen die Strahlungsspezifikationen, die für LEO-Anwendungen (Low Earth Orbit) ideal sind, zu geringeren Kosten und erfüllen gleichzeitig außergewöhnlich hohe Qualitäts- und Zuverlässigkeitsstandards. Bei den Spacellite-Commercial-Produkten handelt es sich um COTS-Geräte, die nach den Spacellite-Qualifizierungsstandards von Central qualifiziert sind und die Strahlungsspezifikationen erfüllen, die für LEO-Anwendungen (Low Earth Orbit) ideal sind, und zwar zu geringeren Kosten und bei gleichzeitig außergewöhnlich hohen Qualitäts- und Zuverlässigkeitsstandards.

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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.