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SiC-MOSFET CDMS24720-120
Monoblock-Gusskarbid

SiC-MOSFET - CDMS24720-120 - Central Semiconductor - Monoblock-Gusskarbid
SiC-MOSFET - CDMS24720-120 - Central Semiconductor - Monoblock-Gusskarbid
SiC-MOSFET - CDMS24720-120 - Central Semiconductor - Monoblock-Gusskarbid - Bild - 2
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Eigenschaften

Merkmal
SiC
Material
Monoblock-Gusskarbid

Beschreibung

Der CDMS24720-120 von CENTRAL SEMICONDUCTOR ist ein N-Kanal-Siliziumkarbid-MOSFET, der für Anwendungen mit hohen Schaltgeschwindigkeiten und schneller Umkehrerholung entwickelt wurde. KENNZEICHNUNG: CDMS247 20-120

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Dies ist eine automatische Übersetzung.  (Originaltext auf Englisch anzeigen)

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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.