SiC-MOSFET CDMS24720-120Monoblock-Gusskarbid
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Eigenschaften
- Merkmal
- SiC
- Material
- Monoblock-Gusskarbid
Beschreibung
Der CDMS24720-120 von CENTRAL SEMICONDUCTOR ist ein N-Kanal-Siliziumkarbid-MOSFET, der für Anwendungen mit hohen Schaltgeschwindigkeiten und schneller Umkehrerholung entwickelt wurde.
KENNZEICHNUNG: CDMS247
20-120
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SiC MOSFETs
* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.