Onsemi Schalttransistoren

Spannung: 60 V

... NPN-Epitaxie-Siliziumtransistor Anwendungen Dieses Produkt ist universell einsetzbar und eignet sich für viele verschiedene Anwendungen. ...

Strom: 15 A
Spannung: 60 V - 120 V

... Der bipolare Leistungstransistor ist für Hochleistungs-Audio-, Schrittmotor- und andere lineare Anwendungen konzipiert. Er kann auch in Leistungsschaltkreisen wie Relais- oder Solenoidtreibern, Gleichspannungswandlern, Wechselrichtern ...

Strom: 15 A
Spannung: 60 V - 120 V

... Der bipolare Leistungstransistor ist für Hochleistungs-Audio-, Schrittmotor- und andere lineare Anwendungen konzipiert. Er kann auch in Leistungsschaltkreisen wie Relais- oder Solenoidtreibern, Gleichspannungswandlern, Wechselrichtern ...

Strom: 10 A
Spannung: 100 V

... Der bipolare Leistungstransistor ist für allgemeine Verstärker- und Schaltanwendungen vorgesehen, bei denen die Montagefläche des Bauelements vom Kühlkörper oder Gehäuse elektrisch isoliert sein muss. Merkmale Isoliertes Overmold-Gehäuse, ...

Strom: 800 A
Spannung: 1.200 V

... Das NXH800H120L7QDSG ist ein Halbbrücken-IGBT-Leistungsmodul mit Nennleistung. Die integrierten Field Stop Trench 7 IGBTs und Gen. 7 Dioden sorgen für geringere Leitungs- und Schaltverluste, wodurch die Entwickler einen hohen Wirkungsgrad ...

Strom: 800 A
Spannung: 1.200 V

... Das SNXH800H120L7QDSG ist ein Halbbrücken-IGBT-Leistungsmodul mit Nennleistung. Die integrierten Field Stop Trench 7 IGBTs und Gen. 7 Dioden sorgen für geringere Leitungs- und Schaltverluste, so dass Entwickler einen hohen Wirkungsgrad ...