Onsemi Schalttransistoren
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Spannung: 60 V
... NPN-Epitaxie-Siliziumtransistor Anwendungen Dieses Produkt ist universell einsetzbar und eignet sich für viele verschiedene Anwendungen. ...
Onsemi
Strom: 15 A
Spannung: 60 V - 120 V
... Der bipolare Leistungstransistor ist für Hochleistungs-Audio-, Schrittmotor- und andere lineare Anwendungen konzipiert. Er kann auch in Leistungsschaltkreisen wie Relais- oder Solenoidtreibern, Gleichspannungswandlern, Wechselrichtern oder für induktive ...
Onsemi
Strom: 15 A
Spannung: 60 V - 120 V
... Der bipolare Leistungstransistor ist für Hochleistungs-Audio-, Schrittmotor- und andere lineare Anwendungen konzipiert. Er kann auch in Leistungsschaltkreisen wie Relais- oder Solenoidtreibern, Gleichspannungswandlern, Wechselrichtern oder für induktive ...
Onsemi
Strom: 10 A
Spannung: 100 V
... Der bipolare Leistungstransistor ist für allgemeine Verstärker- und Schaltanwendungen vorgesehen, bei denen die Montagefläche des Bauelements vom Kühlkörper oder Gehäuse elektrisch isoliert sein muss. Merkmale Isoliertes Overmold-Gehäuse, Typ TO-220 Elektrisch ...
Onsemi
Strom: 800 A
Spannung: 1.200 V
... Das NXH800H120L7QDSG ist ein Halbbrücken-IGBT-Leistungsmodul mit Nennleistung. Die integrierten Field Stop Trench 7 IGBTs und Gen. 7 Dioden sorgen für geringere Leitungs- und Schaltverluste, wodurch die Entwickler einen hohen Wirkungsgrad und eine überragende ...
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Strom: 800 A
Spannung: 1.200 V
... Das SNXH800H120L7QDSG ist ein Halbbrücken-IGBT-Leistungsmodul mit Nennleistung. Die integrierten Field Stop Trench 7 IGBTs und Gen. 7 Dioden sorgen für geringere Leitungs- und Schaltverluste, so dass Entwickler einen hohen Wirkungsgrad und eine hohe Zuverlässigkeit ...
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