Relativdrucksensor t011 TBAR-UHIVS
ResonanzSiliziumMEMS

Relativdrucksensor - t011 TBAR-UHIVS - SIAP+MICROS - Resonanz / Silizium / MEMS
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Eigenschaften

Drucktyp
relativ
Technologie
Silizium, MEMS, Resonanz
Weitere Eigenschaften
Hochpräzision, vorkalibriert
Druckbereich

Min: 0,5 bar
(7,25 psi)

Max: 1,1 bar
(15,95 psi)

Präzision

0,02 %

Langzeitstabilität

0,005 %, 0,01 %

Prozesstemperatur

Min: -40 °C
(-40 °F)

Max: 60 °C
(140 °F)

Beschreibung

TBAR-UHIVS / USDI12 ist mit einem Messwertaufnehmer mit TERPS-Technologie (Trench Etched Resonant Pressure Sensor) ausgestattet, einer Technologie, bei der der Druck durch die Beobachtung der Frequenzänderung eines mikrobearbeiteten Silizium-Resonanzelements gemessen wird. Der Sensor ist in einem speziellen Gehäuse untergebracht, das eine beträchtliche Widerstandsfähigkeit gegen Staub und Flüssigkeiten garantiert, so dass auch unter ungünstigen klimatischen Bedingungen hervorragende Betriebsbedingungen gewährleistet sind. Der Sensor ist in einem speziellen Gehäuse untergebracht, das eine hohe Staub- und Flüssigkeitsresistenz gewährleistet und auch unter ungünstigen klimatischen Bedingungen hervorragende Betriebsbedingungen bietet. Ein sorgfältiger Kalibrierungsprozess wird in einer Klimakammer durchgeführt, die es ermöglicht, den Sensor zu kalibrieren und seine Funktionsweise an bestimmte Höhenlagen anzupassen, basierend auf den tatsächlichen Umgebungsbedingungen der Installation. Das gesamte Verfahren wird präzise durchgeführt, um eine hohe Messgenauigkeit und Wiederholbarkeit in Bezug auf die Betriebstemperatur zu erreichen

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Kataloge

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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.