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Silizium-Wafer SL-G12N

Silizium-Wafer - SL-G12N - SHUANGLIANG ECO-ENERGY SYSTEMS CO., LTD
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Beschreibung

Übersicht
  • SL-G12N ist ein N-Typ Siliziumwafer für die Herstellung und Prüfung von Halbleiterbauelementen.


Hauptabmessung
  • Durchmesser: 210 mm


Material- und elektrische Eigenschaften
  • Widerstandsmaterial: 0,4–1,6 Ω·cm
  • Minoritätsladungsträger-Lebensdauer (MCLT): ≥1000 μs
  • Sauerstoffkonzentration: ≤12 ppma
  • Kohlenstoffkonzentration: ≤1 ppma


Technische Daten
  • Modell: SL-G12N
  • Typ: N-Typ Siliziumwafer
  • Durchmesser: 210 mm
  • Widerstandsmaterial: 0,4–1,6 Ω·cm
  • Minoritätsladungsträger-Lebensdauer (MCLT): ≥1000 μs
  • Sauerstoffkonzentration: ≤12 ppma
  • Kohlenstoffkonzentration: ≤1 ppma

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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.