· Zweispurige Fertigungslinie, bei der das Gestell und die elektrischen Bauteile völlig unabhängig voneinander arbeiten, ohne sich gegenseitig zu beeinträchtigen.
· Hoher Durchsatz: Angepasst an den Durchsatz des Siebdruckverfahrens, CT ≤ 0,80 s, basierend auf der Siliziumwafergröße M10 (18 × ± 0,5 mm × 18 × ± 0,5 mm).
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