Diamantdraht-Schneidemaschine GC-SCDW8300

für monokristallines Siliziumfür WaferStange

Produktvorstellung
Diese Maschine ist ein spezialisiertes Mehrdraht‑Schneidsystem mit Diamantdraht zum Schneiden von Siliziumkarbid (SiC)‑Lingots. Sie verfügt über eine einstellbare Achsabstandskonstruktion, Werkstückoszillation, geringe Materialverluste und einen geringen Drahtverbrauch. In Verbindung mit speziellem Diamantdraht, einem hochpräzisen Spannungsregelsystem und Hochgeschwindigkeits‑Schneidtechnologie liefert sie eine stabile, qualitativ hochwertige und effiziente Verarbeitung von 6–8″ × L300 SiC‑Kristallen und ist für industrielle Wafer‑Produktionslinien geeignet.

Hauptmerkmale

• Mehrdraht‑Diamantdraht‑Schneidtechnik, speziell für SiC‑Lingots entwickelt
• Einstellbarer Achsabstand zur Anpassung an unterschiedliche Lingotdurchmesser
• Werkstückoszillation zur Verbesserung der Oberflächenqualität und Reduzierung von Ausbrüchen
• Niedrige Materialverluste und geringer Diamantdrahtverbrauch für kosteneffiziente Produktion
• Hochpräzise Spannungsregelung für konstante Schnittdicke und Reproduzierbarkeit
• Unterstützt ein- oder bidirektionale Drahtzufuhr für Prozessflexibilität

Technische Daten

• Max. Werkstückgröße: 6–8″ × L300
• Drahtzufuhrrichtung: Einwegzufuhr / Zweirichtungszufuhr
• Max. Drahtgeschwindigkeit: 3000 m/min
• Schnittmethode: Abwärts schneiden
• Schnellvorschub (Schnellvorlauf/-rücklauf): 50–500 mm/min
• Max. Schwenkwinkel: ±10°
• Max. Drahtreserve: 120 Km
• Abmessungen (L × B × H): ca. 4880 × 2100 × 3100 mm
• Gewicht der Anlage: ca. 14000 Kg

Anwendungen und Vorteile

• Ausgelegt für die Serienproduktion von SiC‑Wafers für Leistungselektronik und Halbleiter‑Substrate
• Stabile Schnittqualität reduziert nachgelagerte Prozesse und erhöht die Ausbeute
• Kompaktes Industrieformat zur Integration in automatisierte Produktionslinien
• Große Drahtreserve und effizientes Drahtmanagement verringern Wechselintervalle