Hochleistungswiderstand M35

Metallschichtmit geringer Induktivitätmit Radialzapfen

Dünnfilm-Leistungswiderstand für kompakte, schaltende Leistungsapplikationen Der Leistungswiderstand M35 ist ein dünnschichtiger Metallfilm-Leistungswiderstand für Anwendungen, in denen hohe Leistungen auf der Leiterplatte, ein induktionsarmes Verhalten und ein standardisiertes TO-263-Gehäuse gefragt sind. Das Bauteil im TO-263 (D-PAK) kann direkt auf der Leiterplatte montiert und im Reflow-Prozess bei 260 °C für 20 s verlötet werden und eignet sich damit sehr gut für moderne, bestückungsfreundliche Fertigungsprozesse. Mit einer Nennbelastbarkeit von 35 W oder 50 W @25 °C auf Kühlkörper (2,5 W ohne Kühlkörper) deckt der M35 typische Aufgaben in Leistungsstufen, Schaltnetzteilen, Lade- und Entladeschaltungen sowie Ansteuerungen ab. Der Widerstandsbereich von 0,05 Ω bis 100 kΩ ermöglicht sowohl den Einsatz als niederohmiger Last- oder Shuntwiderstand als auch in höherohmigen Zweigen zur Strom- oder Spannungsbegrenzung. Widerstandstoleranzen zwischen ±0,5 % und ±10 % erlauben eine Auswahl von engeren Toleranzen bis hin zu robusten Standardwerten, je nach Anforderung. Das induktionsarme Design mit <10 nH reduziert parasitäre Effekte in schaltenden oder hochfrequenten Applikationen – ein wichtiger Vorteil gegenüber klassischen Drahtwiderständen in getakteten Netzteilen, DC/DC-Wandlern oder Antriebselektronik. Die Temperaturkoeffizienten sind in Klassen gestaffelt (±50, ±100, ±200, ±300 ppm/°C) und widerstandsabhängig wählbar, der Arbeitstemperaturbereich von −55 °C bis +175 °C unterstützt den Einsatz in thermisch anspruchsvollen Umgebungen.