DRAM-Speichermodul H9JKNNNFB3AECR-N6H

DRAM-Speichermodul - H9JKNNNFB3AECR-N6H - Hynix
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Eigenschaften

Typ
DRAM
Speicher

8 GB, 12 GB, 18 GB

Beschreibung

Kleiner Formfaktor, geringer Stromverbrauch, energieeffizient Fortschritte bei niedrigem Stromverbrauch Da die Hersteller von Mobiltelefonen beginnen, LPDDR5 als neuen Standard einzuführen, führt SK hynix LPDDR5 als Hauptangebot mit einer Kapazität von 18 GB und einer Übertragungsgeschwindigkeit von 6.400 Mbit/s ein. Mit einem Stromverbrauch von 1,05 V, sogar weniger als die 1,1 V von LPDDR4X, ist unser LPDDR5 die perfekte Lösung für Smartphones mit 8 GB, 12 GB und 18 GB DRAM, den derzeit beliebtesten Kapazitäten auf dem High-End-Markt. 2x höhere Skalierbarkeit LPDDR5 verfügt über 16 Bänke, also doppelt so viele wie die 8 Bänke von LPDDR4. Dadurch kann er doppelt so viele Operationen in einem einzigen Zyklus ausführen und mit einer doppelt so hohen Geschwindigkeit von 6.400 Mbps arbeiten. Hohe Leistungseffizienz LPDDR5 verbraucht eine Versorgungsspannung von 1,05 V, 20 % weniger als die 1,1 V, die LPDDR4X benötigt.

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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.