Detektor / Silicon Drift Vortex®-EM

RöntgendigitalCMOS

Vortex-EM Silizium-Drift-Röntgendetektoren haben aktive Flächen zwischen 30 mm2 und 80 mm2. Vortex-EM-Detektoren werden aus hochreinem Silizium mit modernster CMOS-Produktionstechnologie hergestellt. Sie zeichnen sich durch eine hervorragende Energieauflösung (<130 eV FWHM bei Mn Kα ist typisch) und eine hohe Zählrate aus. Bei 0,1 µs wird ein PT mit einer Ausgangszählrate von 900 kcps erreicht. Ein einzigartiges Merkmal dieser Detektoren ist ihre Fähigkeit, hohe Zählraten mit sehr geringem Verlust an Energieauflösung und minimaler Spitzenverschiebung mit der Zählrate zu verarbeiten. - Röntgenfluoreszenzspektroskopie (XRF), sowohl Bulk- als auch Mikrofluoreszenz - Mikroanalytik für SEM und TEM - Anwendungen mit Synchrotronstrahlung - Partikelinduzierte Röntgenemission (PIXE) - Schnelle Röntgenkartierung Der Vortex-EM wird bei nahezu Raumtemperatur betrieben und durch einen thermoelektrischen Kühler (TEC) gekühlt. Er kann so oft wie nötig zyklisch betrieben werden, ohne dass die Detektorleistung beeinträchtigt wird. Die Abkühlzeiten betragen in der Regel weniger als 2 Minuten. Das Röntgenspektroskopiesystem Vortex-EM besteht aus einer Detektoreinheit und einem Steuergerät, das die Stromversorgung für den Detektor, den TEC und einen optionalen digitalen Pulsprozessor mit PI-SPEC Software enthält. Der komplette Detektor enthält außerdem einen ladungsempfindlichen Vorverstärker und ein Temperaturstabilisierungssystem, das Schwankungen der Umgebungstemperatur ausschließt.