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Reaktionsmittel

Reaktionsmittel - Fujifilm NDT Systems
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Beschreibung

Übersicht Wir bieten ein umfassendes Sortiment an Ätzmittelformulierungen für Halbleiter- und Mikrofertigungsprozesse, einschließlich Buffered Oxide Etchants (BOE), verdünnter Flusssäure (HF), Mischsäure-Ätzmitteln (MAE) und speziellen Metallätzmitteln.

Zusammenfassung Das Sortiment umfasst mehrere NH4F:HF-Verhältnisse für BOE, präzise abgestimmte verdünnte HF-Mischungen mit engen Analysevorgaben, MAE-Optionen und spezielle Ätzmittel zur selektiven Metallentfernung. Formulierungen sind mit oder ohne Tensid erhältlich und können prozessgerecht angepasst werden.

Produktpalette
  • Buffered Oxide Etchants (BOE)
    • Präzise gemischte BOE mit engen Analysespezifikationen, verfügbar in mehreren NH4F:HF-Verhältnissen.
    • Verwendet für die Ätzung von SiO2-Schichten und zur Oberflächenvorbereitung vor Diffusion und Metallisierung.
    • Formuliert aus hochreinen HF- und NH4F-Rohstoffen; erhältlich mit oder ohne Tensid.
  • Verdünntes HF
    • Kontrollierte Mischungen von verdünntem HF zur Oxidentfernung und Prozessreinigung mit engen Toleranzen.
  • Freckle Etch
    • Zur Entfernung verbleibender Siliziumknötchen nach Al–Si–Cu-Ätzprozessen.
  • Spezielle Metallätzmittel
    • Selektive Metallentfernungschimikalien, einschließlich aluminium­spezifischer Ätzmittel und Tauchätzmittel für Metallisierungsschichten; Tensidoptionen und kundenspezifische Entwicklung möglich.


Anwendungen / Typische Verwendungen
  • Ätzen von SiO2-Filmen in der Halbleiterfertigung.
  • Oberflächenvorbereitung vor Diffusion und Metallisierung.
  • Entfernung von Siliziumknötchen nach Al–Si–Cu-Ätzschritten.
  • Selektive Entfernung von Metallschichten in Metallisierungsprozessen.


Merkmale / Technische Spezifikationen
  • Produktarten: BOE, verdünntes HF, MAE, Freckle Etch, spezielle Metallätzmittel.
  • BOE in mehreren NH4F:HF-Verhältnissen mit strenger Analysekontrolle verfügbar.
  • Hauptrohstoffe: hochreines HF und NH4F für BOE-Formulierungen.
  • Optionen: Formulierungen mit/ohne Tensid; Tauchätzmittel und spezielle Aluminiumätzmittel verfügbar; kundenspezifische Formulierungen möglich.
  • Hauptfunktionen: SiO2-Ätzung, Oberflächenvorbereitung, selektive Metallentfernung, Beseitigung von Knötchen nach Al–Si–Cu-Ätzung.

Kataloge

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ELECTRONICA 2026
ELECTRONICA 2026

10-13 Nov. 2026 Munich (Deutschland) Halle B1 - Stand 516

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