Reinigungslösemittel

für Gravurrückstände

Übersicht
Wässrige Post‑Etch‑Reiniger, entwickelt zur Entfernung von Ätzrückständen auf Aluminium, Kupfer und fortschrittlichen Metalllegierungen, Antireflexschichten, SiO2 und Ultra‑low‑k‑Dielektrika. Konzipiert für die Integration in BEOL (back end of line) Halbleiterprozesse und kompatibel mit gängigen Spray‑ und Batch‑Werkzeugen. Herstellung und Reinheitsprüfung erfolgen in Produktionsstätten in den USA und Asien.

Anwendungen

• Entfernung von Post‑Etch‑Rückständen
• Reinigung von Al‑ und Cu‑Metallisierungen sowie fortschrittlichen Metalllegierungen
• Reinigung von Antireflexschichten (ARC), SiO2 und Ultra‑low‑k‑Dielektrika
• Integration in BEOL‑Prozessabläufe (Kompatibilität mit Spray‑ und Batch‑Tools)

Wichtige Informationen

• Chemietyp: wässrig
• Hauptanwendung: Post‑Etch‑Reinigung und Trocknung
• Prozesskompatibilität: BEOL (back end of line)
• Kompatible Materialien: Al (Aluminium), Cu (Kupfer), fortschrittliche Metalllegierungen, Antireflexschichten, SiO2, Ultra‑low‑k‑Dielektrika
• Werkzeugkompatibilität: Spray‑ und Batch‑Tools
• Spülung: geeignet für Direktspülung mit Ultrapure‑Wasser (reduziert Lösungsmittelbedarf)
• Produktvarianten: Gütegrade je nach Ätztyp; Optionen mit oder ohne Tensid
• Verpackung: 4L‑Flaschen ×4, 200L‑Fässer (Einweg oder rückführbar), 1000L‑Totes (Einweg oder rückführbar), Schüttgutversorgung (je nach Verfügbarkeit)
• Hersteller: FUJIFILM — produziert und reinheitsgeprüft in den USA und Asien

Technische Spezifikationen

• Chemie: wasserbasierte Formulierung (spezifische Zusammensetzung variiert je nach Gütegrad)
• Typische Verwendungen: Entfernung von Post‑Etch‑Rückständen, Vorreinigung vor Metallisierung oder dielektrischer Ablagerung, Unterstützung des Trocknungsprozesses
• Materialverträglichkeit: Al, Cu, fortschrittliche Legierungen, ARC, SiO2, Ultra‑low‑k
• Prozessintegration: geeignet für BEOL‑Toolsets in Spray‑ und Batch‑Konfiguration
• Liefer‑ und Verpackungsoptionen wie oben angegeben
• Qualitätskontrolle: routinemäßige Reinheitsprüfung mittels fortschrittlicher analytischer Methoden