Ableitstromtester FTI-1000 Lab

SpannungHochspannungfür Elektronikteile

Übersicht Das FTI-1000 Lab ist eine ausschließlich DC-basierte Charakterisierungsplattform für mittelstarke Silizium(Si)- und Wide-Bandgap(GaN)-Bauelemente. Sie bietet programmierbaren DC-Stimulus bis 1,2 kV und 100 A und ermöglicht die präzise Extraktion statischer elektrischer Parameter sowie hochauflösendes IV-Kurven-Tracking. Die Lab-Konfiguration verwendet dedizierte DC-Instrumente — Hochvolt- und Hochstrom-Quellmodule, Nanoampere-Messung und flexible Biasing-Optionen — um eine breite Palette von IV-Sweeps und parametrischen Tests ohne AC- oder dynamische Schaltkomplexität zu unterstützen. FTI Studio stellt eine intuitive Oberfläche für schnelles Setup, Wellenform-Erfassung, Schmoo-Plotting und Testprogrammerstellung bereit.

Anwendungen

• F&E-Labore
• Bauteilqualifizierung
• Validierungs- und Charakterisierungs-Workflows in der Technik

Hauptfunktionen und Optimierungen

• Programmierbarer DC-Stimulus bis 1,2 kV und 100 A
• Optimiert für Messungen von Hochspannungsleckstrom, Durchbruch, Schwellenspannung und Einschaltwiderstand (Rds(on))
• Stabile, reproduzierbare DC-Versorgung mit präziser Messsteuerung
• Modulare, skalierbare Architektur mit geringem Labor-Flächenbedarf
• Unterstützt eine breite Palette diskreter Gehäuse und Wide-Bandgap-Device-Engineering

Tabellarische Spezifikationen Anzahl Testplätze: 1
DC-parametrische Tests: Rdson, Idon, Vce(sat), Vgs, Gfs, Igss, Idss, BVdss etc.
Thermische Die-Attach-Qualität: dVsd/Vgs
Abmessungen D×B×H: 541 mm × 345 mm × 206 mm (Netzteil: 345 mm × 176 mm × 103 mm)
Digitale Kanäle: Option für 8 unabhängige digitale Kanäle (IC Channel Board)
DC-Quellspannung: 1,2 kV
Stromantriebsbereich (HV): 25 mA (modulspezifisch)
Maximaler Strom: 100 A
Gate-Widerstände: 0, 10, 25, 50 Ω plus vom Anwender einsteckbare Widerstände

Software FTI Studio bietet eine intuitive Benutzeroberfläche für schnelles Setup, Wellenformerfassung, Schmoo-Plotting und Testprogrammerstellung und ermöglicht so einen schnellen Übergang vom Device Bring-up zur vollständigen Charakterisierung.

Technische Spezifikationen

• Anzahl Testplätze: 1
• Unterstützte DC-parametrische Tests: Rdson, Idon, Vce(sat), Vgs, Gfs, Igss, Idss, BVdss und ähnliche IV/parametrische Messungen
• Thermische Die-Attach-Metrik: dVsd/Vgs
• Abmessungen: 541 mm × 345 mm × 206 mm
• Abmessungen Netzteil: 345 mm × 176 mm × 103 mm
• Maximale DC-Spannung: 1,2 kV
• HV-Stromantriebsbereich (modulspezifisch): 25 mA
• Maximale Stromfähigkeit: 100 A
• Digitale Kanäle: optional 8 unabhängige digitale Kanäle (IC Channel Board)
• Gate-Widerstandsoptionen: 0, 10, 25, 50 Ω plus vom Benutzer einsteckbare Widerstände
• Architektur: modulare, skalierbare Konfiguration, optimiert für Labore
• Zielgeräte: mittelstarke Si-Bauelemente und Wide-Bandgap (GaN) Bauelemente
• Softwarefunktionen: Wellenformerfassung, Schmoo-Plotting, Testprogrammerstellung, schnelles Setup