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Silizium-MOSFET CDMSJ22010-650
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Eigenschaften
- Material
- Silizium
Beschreibung
Der CDMSJ22010-650 von CENTRAL SEMICONDUCTOR ist ein Hochstrom-N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit 650 Volt, der für schnell schaltende Hochspannungsanwendungen wie Leistungsfaktorkorrektur (PFC) und Ladegeräte entwickelt wurde. Dieser MOSFET kombiniert Hochspannungsfähigkeit mit niedrigem rDS(ON), niedriger Schwellenspannung und niedriger Gate-Ladung.
KENNZEICHNUNG: CDMSJ
10-650
ANWENDUNGEN:
- Leistungsfaktor-Korrektur
- TV-Strom
- USV
- PD-Ladegerät
- Adapter
MERKMALE:
- Hohe Spannungsfähigkeit (VDS=650V)
- Niedrige Gate-Ladung (Qgs=4nC)
- Niedriger rDS(ON) (0,39Ω)
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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.