ProduktübersichtSY75707 ist ein Differenz‑Eingang zu zwei LVCMOS‑Ausgängen Translator mit sehr niedrigem additivem Jitter und erweitertem Temperaturbereich. Er akzeptiert VDDIN von 1,8 V bis 3,3 V und übersetzt auf VDDO von 1,2 V bis 1,8 V. Das sehr kompakte 8‑polige VDFN‑Gehäuse (1,4 mm × 1,6 mm) enthält eine 50‑Ω‑Reihenwiderstand auf den LVCMOS‑Ausgängen zum direkten Ansteuern von 50‑Ω‑Leitungen.
Hauptmerkmale- Differenzieller Eingang HCSL / LVPECL / LVDS
- Zwei LVCMOS‑Ausgänge mit integriertem 50 Ω Reihenwiderstand
- Spannungsübersetzung: VDDIN 1,8–3,3 V → VDDO 1,2–1,8 V
- Additiver Jitter: 32 fs typisch (12 kHz–20 MHz Band bei 156,25 MHz)
- Typische Propagationsverzögerung: 1,2 ns
- Maximale Ausgangsfrequenz (fMAX): 250 MHz
- Verfügbar im sehr kompakten 8‑poligen VDFN‑Gehäuse (1,4 mm × 1,6 mm)
Parametrik / TabelleEingang: HCSL / LVPECL / LVDS
Ausgangsfrequenz (Max) (GHz): 0,25
Max. Propagationsverzögerung (ps): 2300
OE: Ja
Ausgang: LVCMOS
Versorgungsspannung (VDDIN): 1,8 V bis 3,3 V
Ausgangsspannung (VDDO): 1,2 V bis 1,8 V
BeschreibungDer SY75707 ist dafür ausgelegt, differentielle Clock‑ oder Datensignale in single‑ended LVCMOS‑Signale zu übersetzen, dabei additiven Jitter zu minimieren und ein kleines Baumaß, niedrigen Stromverbrauch und geringe Kosten beizubehalten. Der integrierte 50 Ω Reihenwiderstand ermöglicht das direkte Ansteuern standardisierter Übertragungsleitungen ohne externe Reihenbauteile.
Typische Anwendungen- Übersetzung von differentiellen Clocks zu single‑ended LVCMOS
- Hochleistungs‑Clockverteilung in platzbeschränkten Systemen
- Hochgeschwindigkeits‑Kommunikationsempfänger/-sender, die sehr niedrigen additiven Jitter benötigen
Technische Spezifikationen- Additiver Jitter: 32 fs typisch (12 kHz–20 MHz bei 156,25 MHz)
- Propagationsverzögerung: ~1,2 ns typisch
- Maximale Ausgangsfrequenz (fMAX): 250 MHz
- Unterstützte Eingänge: HCSL, LVPECL, LVDS
- Ausgänge: Zwei LVCMOS mit integriertem 50 Ω Reihenwiderstand
- Eingangsspannung (VDDIN): 1,8 V bis 3,3 V
- Ausgangsspannung (VDDO): 1,2 V bis 1,8 V
- Gehäuse: Ultra‑kleines 8‑poliges VDFN (1,4 mm × 1,6 mm)
- Betriebstemperaturbereich: erweitert (siehe Datenblatt)