RF-Schaltermodul ADRF5345 series

Reflektierendes Design Niedrige Einfügungsdämpfung 0.35 dB bis 2,8 GHz typisch 0.40 dB bis 3,8 GHz typisch Hohe Belastbarkeit bei TCASE = 105°C Langfristiger (>10 Jahre) Durchschnitt Kontinuierliche Wellenleistung: 39 dBm LTE-Signal Durchschnittliche Leistung: 39 dBm Spitzenleistung: 49 dBm Hohe Eingangslinearität, IP3: 84 dBm typisch ESD-Bewertungen HBM: 2000 V, Klasse 2 CDM: 1000 V, Klasse C3 Single-Supply-Betrieb, integriertes NVG Positive Steuerung, LVCMOS-/LVTTL-kompatibel 4 mm x 4 mm, 22-poliges LGA-Gehäuse Der ADRF5345 ist ein hochlinearer, reflektierender, einpoliger, vierpoliger (SP4T) Schalter, der im Siliziumprozess hergestellt wird. Der ADRF5345 arbeitet im Bereich von 1,8 GHz bis 3,8 GHz mit einer typischen Einfügedämpfung von weniger als 0,40 dB und einem typischen Eingangs-IP3 von 84 dBm. Der Baustein hat eine HF-Eingangsleistung von 39 dBm für Dauerwellensignale und 39 dBm im Durchschnitt und 49 dBm in der Spitze für LTE-Signale (Long Term Evolution). Der ADRF5345 verfügt über einen integrierten negativen Spannungsgenerator (NVG), der mit einer einzigen positiven Versorgungsspannung von 5 V (VDD) am VDD-Pin arbeitet und einen Versorgungsstrom von 2 mA aufnimmt. Der Baustein verwendet LVCMOS (Low Voltage Complementary Metal-Oxide Semiconductor)-/NVTTL (Low Voltage Transistor to Transistor Logic)-kompatible Steuerungen. Der ADRF5345 wird in einem 4 mm × 4 mm großen, RoHS-konformen LGA-Gehäuse (Land Grid Array) mit 22 Anschlüssen geliefert und arbeitet bei Temperaturen von -40°C bis +105°C. 5G-Antenne neigbar Drahtlose Infrastruktur Militärische und hochzuverlässige Anwendungen Testausrüstung Ersatz von Pin-Dioden