Abschwächer / Digital Step ADRF5740 series

RFMikrowellendurch Spannung

Ultrabreitband-Frequenzbereich: 10 MHz bis 60 GHz Dämpfungsbereich: 2 dB-Schritte bis 22 dB Niedrige Einfügungsdämpfung 1.4 dB bis zu 20 GHz 2.2 dB bis zu 44 GHz 3.3 dB bis zu 55 GHz Genauigkeit der Abschwächung ±(0,1 + 1,0 % des Zustands) bis zu 20 GHz ±(0,2 + 3,0 % des Zustands) bis 44 GHz ±(0,2 + 7,0 % des Zustands) bis zu 55 GHz Typischer Schrittfehler ±0,30 dB bis zu 20 GHz ±0,50 dB bis zu 44 GHz ±0,60 dB bis zu 55 GHz Hohe Eingangslinearität P0,1dB: 25,5 dBm typisch IP3: 45 dBm typisch Hohe RF-Eingangsleistung: 24 dBm Durchschnitt, 24 dBm Spitze Enge Verteilung in der relativen Phase Keine niederfrequenten Störsignale Parallelmodus-Steuerung, CMOS- und LVTTL-kompatibel Einschwingzeit der RF-Amplitude (0,1 dB des endgültigen RF-Ausgangs): 175 ns/li> LGA-Gehäuse mit 16 Anschlüssen, 2,5 mm × 2,5 mm, RoHS-konform Der ADRF5740 ist ein digitales 4-Bit-Silizium-Dämpfungsglied mit einem Dämpfungssteuerungsbereich von 22 dB in 2-dB-Schritten. Der ADRF5740 arbeitet von 10 MHz bis 60 GHz mit einer Einfügedämpfung von weniger als 3,3 dB und einer Dämpfungsgenauigkeit von ±(0,2 + 7,0% des Dämpfungszustands) bei 55 GHz. Der ATTIN-Anschluss des ADRF5740 hat eine HF-Eingangsleistungsfähigkeit von 24 dBm im Mittel und 24 dBm in der Spitze für alle Zustände. Der ADRF5740 benötigt eine duale Versorgungsspannung von +3,3 V und -3,3 V. Der ADRF5740 verfügt über eine Parallelmodus-Steuerung sowie CMOS- und LVTTL-kompatible Steuerungen (low voltage transistor to transistor logic). Die HF-Ports des ADRF5740 sind für eine charakteristische Impedanz von 50 Ω ausgelegt. Der ADRF5740 wird in einem RoHS-konformen LGA-Gehäuse (Land Grid Array) mit 16 Anschlüssen (2,5 mm × 2,5 mm) geliefert und arbeitet bei Temperaturen von -40°C bis +105°C.