EMV-Abschirmung

auf PlatinenebeneKäfigfür Steckkarte

Die SnapShot EMI-Abschirmungstechnologie auf Leiterplattenebene bietet die niedrigste heute auf dem Markt erhältliche Abschirmung auf Leiterplattenebene. SnapShot EMI-Abschirmungen werden aus einem proprietären Material hergestellt, das aus einem 0,125 mm (5 mils) dicken Polyetherimidfilm besteht, der auf einer Seite mit einer Dicke von 5 Mikron verzinnt ist. Diese verzinnte Oberfläche dient als leitende Schicht, die mit der Erdungsebene verbunden ist, um den Faradayschen Käfig zu vervollständigen. Da die SnapShot EMI-Abschirmung auf Leiterplattenebene nur auf einer Oberfläche verzinnt ist, besteht die andere Oberfläche (die innere Abschirmungsoberfläche) aus nichtleitendem Polyetherimid. Das Ergebnis ist eine EMI-Abschirmung auf Leiterplattenebene, deren Höhe der Höhe des höchsten Bauteils entspricht, ohne dass ein Kurzschluss zu befürchten ist. Außerdem wird jede SnapShot-Abschirmung kundenspezifisch entworfen und durch unser Thermoformverfahren hergestellt, das ein konturiertes Profil ermöglicht, das dem Höhenprofil des Platinenlayouts entspricht.