Lawinenfotodioden-Modul (APD)

Ähnlich wie Photomultiplier werden Avalanche-Photodioden (APDs) verwendet, um extrem schwache Lichtintensitäten zu detektieren. Si-APDs werden im Wellenlängenbereich von 250 bis 1100 nm und InGaAs als Halbleitermaterial in APDs für den Wellenlängenbereich von 1100 bis 1700 nm verwendet. PIN-Fotodioden wandeln Licht in Strom um – ohne dass eine Vorspannung angelegt werden muss. Silizium wird üblicherweise als kostengünstiges Detektormaterial im Vis-Bereich verwendet. Für höhere Anforderungen wird InGaAs verwendet; es deckt den breitesten Spektralbereich vom Vis bis zum NIR ab. Speziell für den UV-Bereich bieten wir Siliziumkarbid als „sonnenblinden“ Detektor an. Wavelength Opto-Electronic ist der autorisierte Distributor von Produkten der Marke LASER COMPONENTS in Singapur. Silizium-APDs Si-APDs sind für den Spektralbereich von 225nm bis 1100nm geeignet. Silizium-APDs für die Photonenzählung Die Silizium-Avalanche-Fotodioden der SAP-Serie werden hauptsächlich in der Photonenzählung verwendet. Diese Serie zeichnet sich durch höchste Effizienz und niedrigste Dunkelstromraten aus. UV-empfindliche Silizium-APDs Der Detektor wurde speziell für (bio)medizinische Anwendungen entwickelt, bei denen kleinste Signale im kurzwelligen UV/blauen Spektralbereich detektiert werden müssen. InGaAs-APDs Unsere InGaAs-Avalanche-Photodioden (APDs) sind für einen Spektralbereich von 1100 nm bis 1700 nm ausgelegt. Die Produkte der IAG-Serie zeichnen sich durch ein besonders gutes Signal-Rausch-Verhältnis aus und unterstützen eine Verstärkung von mehr als 30.