Halbleiterdetektor PVMI-10,6
dynamischInfrarotphotometrisch

Halbleiterdetektor
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Eigenschaften

Technologie
Halbleiter, dynamisch, Infrarot, photometrisch, IR

Beschreibung

2.0 - 12,0 µm, Umgebungstemperatur, Mehrfachübergang, optisch eingetaucht PVMI-10.6 ist ein ungekühlter IR-Photovoltaik-Mehrfachübergangsdetektor, basierend auf einer hochentwickelten HgCdTe-Heterostruktur für beste Leistung und Stabilität, optisch eingetaucht, um die Parameter des Geräts zu verbessern. Der Detektor ist für die maximale Leistung bei λopt = 10,6 μm optimiert. Er ist besonders nützlich als Detektor mit großer aktiver Fläche, der im Spektralbereich von 2,0 bis 12,0 µm arbeitet. Anwendungen: - Spektralbereich von 2,0 bis 12,0 µm - Betrieb bei Umgebungstemperatur - Hyperhemiimmersion-Mikrolinsentechnologie angewendet - Keine Vorspannung erforderlich - Kein 1/f-Rauschen - Empfindlich für die Polarisation der IR-Strahlung Parameter: PVMI-10,6 Werkstoff: MCT Typ: Mehrfachverknüpfung Immersion: Eintauchen Kühlung: Nein Wellenlänge/ λopt/ µm: 10,6 Gehäuse: BNC, TO39 Fenster: Nein Erkennbarkeit/ D∗/ cm⋅Hz1/2⋅W-1: ≥1,0x108 Zeitkonstante/ τ/ ns: ≤1,5

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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.