Halbleiterdetektor PVM-2TE-10,6
dynamischIRkompakt

Halbleiterdetektor
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Eigenschaften

Technologie
Halbleiter, dynamisch, IR
Weitere Eigenschaften
kompakt, robust, thermoelektrisch gekühlt

Beschreibung

2.0 - 13,0 µm, zweistufig thermoelektrisch gekühlt, Mehrfachübergang PVM-2TE-10.6 ist ein zweistufiger thermoelektrisch gekühlter IR-Photovoltaik-Mehrfachübergangsdetektor, der auf einer hochentwickelten HgCdTe-Heterostruktur für beste Leistung und Stabilität basiert. Der Detektor ist für die maximale Leistung bei λopt = 16,6 μm optimiert. Er ist besonders geeignet als Detektor mit großer aktiver Fläche, der im Spektralbereich von 2,0 bis 13,0 µm arbeitet. Das 3° keilförmige Zinkselenid-Fenster mit Antireflexionsbeschichtung (wZnSeAR) verhindert unerwünschte Störeffekte. Anwendungen: - Spektralbereich von 2,0 bis 13,0 µm - Große aktive Fläche von 1×1 mm^2 bis 3×3 mm^2 - Zweistufig thermoelektrisch gekühlt - Keine Vorspannung erforderlich - Kein 1/f-Rauschen - Empfindlich für die Polarisation der IR-Strahlung Parameter: PVM-2TE-10,6 Werkstoff: MCT Typ: Mehrfachverknüpfung Eintauchen: Nicht-Immersion Kühlung: Zweistufig Wellenlänge/ λopt/ µm: 10,6 Gehäuse: TO8, TO66 Fenster: keilförmig ZnSe AR-beschichtet Erkennbarkeit/ D∗/ cm⋅Hz1/2⋅W-1: ≥1,0x108 Zeitkonstante/ τ/ ns: ≤3

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Kataloge

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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.