Halbleiterdetektor PVM-10,6
dynamischIR

Halbleiterdetektor
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Eigenschaften

Technologie
Halbleiter, dynamisch, IR

Beschreibung

2.0 - 13,0 µm, Umgebungstemperatur, Mehrfachsperrschicht PVM-10.6 ist ein ungekühlter IR-Photovoltaik-Mehrfachübergangsdetektor auf Basis einer hochentwickelten HgCdTe-Heterostruktur für beste Leistung und Stabilität. Der Detektor ist für die maximale Leistung bei λopt = 13,0 μm optimiert. Er ist besonders nützlich als Detektor mit großer aktiver Fläche, der im Spektralbereich von 2,0 bis 13,0 µm arbeitet. Merkmale: - Spektralbereich von 2,0 bis 13,0 µm - Große aktive Fläche von 1×1 mm^2 bis 4×4 mm^2 - Betrieb bei Umgebungstemperatur - Kein Bias erforderlich - Kein 1/f-Rauschen - Betrieb von DC bis Hochfrequenz - Empfindlich gegen die Polarisation von IR-Strahlung Parameter: PVM-10,6 Werkstoff: MCT Typ: Mehrfachverknüpfung Eintauchen: Nicht-Immersion Kühlung: Nein Wellenlänge/ λopt/ µm: 10,6 Gehäuse: BNC, TO8, TO39 Fenster: Nein Erkennbarkeit/ D∗/ cm⋅Hz1/2⋅W-1: ≥1,0x107 Zeitkonstante/ τ/ ns: ≤1,5

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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.