Halbleiterdetektor PV-4TE-5
IRkompaktrobust

Halbleiterdetektor
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Eigenschaften

Technologie
Halbleiter, IR
Weitere Eigenschaften
kompakt, robust, thermoelektrisch gekühlt

Beschreibung

PV-4TE 2-12 μm IR-PHOTOVOLTAIK-DETEKTOREN THERMOELEKTRISCH GEKÜHLT Die Photodetektoren der Serie PV-4TE-λopt (λopt - optimale Wellenlänge in Mikrometern) verfügen über einen IR-Photodetektor auf einem vierstufigen thermoelektrischen Kühler. Die Geräte sind für die maximale Leistung bei λopt optimiert. Die Cut-on-Wellenlänge kann auf Anfrage optimiert werden. Die umgekehrte Vorspannung kann die Ansprechgeschwindigkeit und den Dynamikbereich deutlich erhöhen. Sie führt auch zu einer verbesserten Leistung bei hohen Frequenzen, aber 1/f-Rauschen, das in vorgespannten Bauteilen auftritt, kann die Leistung bei niedrigen Frequenzen verringern. Höchste Leistung und Stabilität werden durch den Einsatz von HgCdTe-Halbleitern mit variablem Spalt, optimierter Dotierung und anspruchsvoller Oberflächenbearbeitung erreicht. Kundenspezifische Geräte mit Quadrantenzellen, Multielement-Arrays, verschiedenen Fenstern, Linsen und optischen Filtern sind auf Anfrage erhältlich. Standarddetektoren sind im TO8-Gehäuse mit wAl2O3- oder wZnSeAR-Fenstern erhältlich. Andere Gehäuse, Fenster und Anschlüsse sind ebenfalls erhältlich. Merkmale: - Hohe Leistung im Spektralbereich von 2,4 - 5,3 µm - Vierstufig thermoelektrisch gekühlt - Keine Vorspannung erforderlich - Kein 1/f-Rauschen Parameter: PV-4TE-5 Werkstoff: MCT Typ: Fotovoltaik Immersion: Nicht-Immersion Kühlung: Vierstufig Wellenlänge/λopt/µm: 5 Gehäuse: TO8, TO66 Fenster: verkeiltes Al2O3 Erkennbarkeit/ D∗/ m⋅Hz1/2⋅W-1: ≥1,5x1010 Zeitkonstante/ τ /ns: ≤80

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Kataloge

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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.