Silizium-Wafer / 5 inch (125 mm)

6 inch (150 mm)200 mm (8 inch)4 inch (100 mm)

Übersicht
Ultrapure Siliziumteile für die Halbleiterherstellung und -bewertung. Hergestellt mit Cross-edge‑Technologie und einem strengen Qualitätssicherungssystem, um Front‑End‑ und Prozessintegrationsanforderungen zu erfüllen.

Wesentliche Vorteile

• Material: ultrareines Silizium (Monokristall / Polykristall) zur Minimierung des Kontaminationsrisikos.
• Thermische Eigenschaften entsprechen Siliziumwafern (Wärmeleitfähigkeit, spezifische Wärme, thermischer Ausdehnungskoeffizient) und reduzieren Schäden sowie verbessern Ausbeute und Produktivität.
• Hervorragende Wärmeleitfähigkeit für gleichmäßige und stabile Schichtdickenverteilung.
• Hohe Wärme‑ und Korrosionsbeständigkeit für erhöhte Haltbarkeit bei Hochtemperaturprozessen.
• Präzisionsbearbeitung für komplexe Formen zur Anpassung an unterschiedliche Geräteanforderungen.
• Einwerkstoffkonstruktion verhindert Delaminationen von Beschichtungen und damit verbundene Kontaminationsrisiken.

Siliziumprodukte (Beispiele)
CVD-Susceptors, Ringe für verschiedene Anlagen | Fokusringe | Reinigungslehren
Wandplatten für Implantationsdomes | Rohre | Stifte
Lehren für optische Wellenleiter‑Wafer | Tische | Düsen

Siliziumwafer für Dicing‑Tests
Wafer für Pre‑Dicing, Versuche und Evaluierungen sind verfügbar.

Standard‑Spezifikationen
Oberfläche: einseitig spiegelpoliert. Verfügbare Durchmesser und Dickenoptionen:
Durchmesser — Dicke (μm):
4 in — ① 400–700 | ② 500±25 | ③ 530±25
5 in — ① 500–700 | ② 550±25 | ③ 625±25
6 in — ① 500–700 | ② 450±50 | ③ 625±25
8 in — ① 725–? | ② 725±50
12 in — ① 775±50
Standardverpackung: Coin‑Stack. Lieferung in Cases möglich nach Vereinbarung.

Sonstiges
Partikelkontrollierte Wafer für Front‑End‑Einsatz verfügbar (Partikelspezifikation: <30 Partikel >0,2 μm) je nach Spezifikation.

Beispiele für Si/Keramik‑Bearbeitung
Hochpräzise Bearbeitung von Si, Al2O3, AlN, Saphir u.Ä. Beispiele: Stangendicing bis ~100 μm mit Reduktion von Chipping; burr‑armes Dicing metallisierter Keramiken.

Technische Merkmale / Spezifikationen

• Material: ultrareines Silizium (Monokristall / Polykristall).
• Oberflächenbehandlung: einseitig spiegelpoliert / einseitig geätzt.
• Unterstützte Durchmesser: 4 in, 5 in, 6 in, 8 in, 12 in.
• Dickenoptionen: siehe Standard‑Spezifikationen oben (μm, durchmesserabhängig).
• Anwendungen: CVD‑Susceptors, Fokusringe, Reinigungslehren, Wandplatten für Implantationsdomes, Rohre, Stifte, Lehren für Wellenleiter‑Wafer, Tische, Düsen, Dummy‑Wafer.
• Bearbeitungsfähigkeit: hochpräzise, komplexe Formen, Feindicing bis ~100 μm, Burr‑Reduktion bei metallisierten Keramiken.
• Partikelkontrollierte Wafer: verfügbar für Front‑End (≤30 Partikel >0,2 μm) auf Anfrage.
• Verpackung: Standard Coin‑Stack; Case‑Lieferung je nach Spezifikation möglich.