Gate-Treiber / MOSFET 2CG-B
IGBT

Gate-Treiber / MOSFET - 2CG-B  - TAMURA CORPORATION OF CHINA LIMITED - IGBT
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Eigenschaften

Merkmal
IGBT, MOSFET

Beschreibung

Das Gate-Treibermodul (Treiberkern) ist ein Produkt, das eine DC-DC-Stromversorgung und eine Treiberschaltung integriert. Es unterstützt Leistungsmodule bis zu 2500 V. Es weist eine geringe Streukapazität zwischen Primär- und Sekundärseite auf und ist daher ideal für die Ansteuerung von SiC-Leistungsmodulen. Produktmerkmale Niedrige Kopplungskapazität: 12pF/ Reduzierung des Gleichtaktrauschens SC-Schutz: Kurzschluss-Maskenzeit (tsc) / Einstellbar bis auf 1us. Geeignet für SiC-Leistungsmodule Doppelte Schutzfunktionen: DESAT, Soft-Abschaltung und Miller-Clamp Hohe Ausgangsleistung: Ausgangsleistung geeignet für Hochfrequenzantrieb (4W/1ch) Wichtigste Anwendungen Solarstromerzeugung Windkrafterzeugung Wasserstoff Stromübertragung und -verteilung Schweissmaschinen Energiespeicherung (ESS) Rechenzentren Motorsteuerungs-Wechselrichter Robotik Aufzüge Nutz-/Baufahrzeuge/Landwirtschaftsfahrzeuge EV-Ladesysteme Die nächste Generation von Gate-Treibern zeichnet sich durch eine hohe Isolationsspannung (Unterstützung von 1700-V-Modulen) und ein niedriges Profil aus, zusätzlich zu der herkömmlichen geringen Streukapazität.

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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.