Lötpaste für die Bildung von Halbleiterhöckern unter Verwendung von feinem Pulver mit reduzierter Alphastrahlung, geeignet für Trockenfilm-Druckverfahren.
Produktmerkmale
Unterstützt die Bildung von Bumps für ~60µm Pitch unter Verwendung von Trockenfilmresist.
Entspricht den IPC-Normen für Halogenfreiheit (Br,Cl-Gehalt in der Paste ≥900ppm, insgesamt ≥1500ppm).
Niedrig-Alpha-kompatibel.
Unterstützt C4-Bumps und C2-Bumps.
Reduziert die Variation der Bump-Höhe.
Wichtigste Anwendungen
Halbleiter-Gehäuse
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