- Elektrotechnik - Elektronik
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- SHUANGLIANG ECO-ENERGY SYSTEMS CO., LTD
Silizium-Wafer SL-G12N
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Beschreibung
Product
SL-G12N
Overview
Der SL-G12N ist ein N‑Typ Siliziumwafer mit 210 mm Durchmesser, entwickelt für die Halbleiterfertigung und Forschung. Geeignet für Anwendungen mit kontrollierter Leitfähigkeit und langer Minoritätsladungsträger-Lebensdauer, z. B. Photovoltaik, Leistungshalbleiter und Prototyping.
Technical Data
Handling and packaging
Geliefert in Schutzkassetten oder -trägern, geeignet für den Transfer in Reinräumen. Unter ESD‑gerechten Bedingungen handhaben und Partikelkontamination vermeiden. Vor der Weiterverarbeitung visuell und mit Standardmetrologie prüfen.
Applications
SL-G12N
Overview
Der SL-G12N ist ein N‑Typ Siliziumwafer mit 210 mm Durchmesser, entwickelt für die Halbleiterfertigung und Forschung. Geeignet für Anwendungen mit kontrollierter Leitfähigkeit und langer Minoritätsladungsträger-Lebensdauer, z. B. Photovoltaik, Leistungshalbleiter und Prototyping.
Technical Data
- Modell: SL-G12N
- Typ: N‑Typ Siliziumwafer
- Durchmesser: 210 mm
- Leitfähigkeit/Resistivität: 0,4–1,6 Ω·cm
- Minoritätsladungsträger-Lebensdauer (MCLT): ≥1000 μs
- Sauerstoffkonzentration: ≤12 ppma
- Kohlenstoffkonzentration: ≤1 ppma
Handling and packaging
Geliefert in Schutzkassetten oder -trägern, geeignet für den Transfer in Reinräumen. Unter ESD‑gerechten Bedingungen handhaben und Partikelkontamination vermeiden. Vor der Weiterverarbeitung visuell und mit Standardmetrologie prüfen.
Applications
- Substrate für Photovoltaikzellen
- Leistungshalbleiter
- Forschung und Prototyping in der Mikroelektronik
- Prozessentwicklung und Zuverlässigkeitsprüfung
Kataloge
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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.