Silizium-Wafer

Produktbeschreibung
Die Ausbeute großer, dünner gestapelter photovoltaischer Siliziumwafer ist schwer zu kontrollieren. Wir sind seit Jahren im Schneidbereich tätig und treiben dünndrahtbasierte Verfahren voran, um Ausbeute und Wafer-Performance zu verbessern. Der Service konzentriert sich auf die Reduzierung von Drahtspuren und TTV, um Erscheinungsbild und Lieferquote der Wafer zu verbessern. Wir bieten Bearbeitungsdienstleistungen für Formate wie die 182- und 210-Serien, rechteckige Wafer und Halbwafer an. Die Anlagen können größere und dünnere Wafer schneiden und bearbeiten, um Branchentrends und Kundenanforderungen gerecht zu werden.

Produktparameter
N/P Type | Wafer Size | Wafer Thickness/μm | TTV/μm | Saw Mark/μm | Resistivity | MCLT/μs | Oxygen Content/ppma | Carbon Content/ppma
P | 182.2*182.2 | 150±10 | ≤25 | ≤12.5 | 0.4-1.1 | ≥70 | ≤15 | ≤1
P | 182*183.75 | 150±10 | ≤25 | ≤12.5 | 0.4-1.1 | ≥70 | ≤15 | ≤1
N | 182.2*183.75 | 130±8 | ≤20 | ≤12.5 | 0.6-1.6 | ≥1000 | ≤11 | ≤1
N | 182.2*182.2 | 130±8 | ≤20 | ≤12.5 | 0.6-1.6 | ≥1000 | ≤11 | ≤1
N | 182.3*210 | 130±8 | ≤20 | ≤12.5 | 0.6-1.6 | ≥1000 | ≤11 | ≤1
N | 210*210 | 130±8 | ≤20 | ≤12.5 | 0.6-1.6 | ≥1000 | ≤11 | ≤1
N | 210*105 | 110+15/-10 | ≤25 | ≤12.5 | 0.3-2.1 | ≥1000 | ≤14 | ≤1
N | 182.3*105 | 130±10 | ≤25 | ≤12.5 | 0.4-1.6 | ≥4000 | ≤13 | ≤1
Hinweis: Siliziumwafer können in Bezug auf Resistivität und optische Parameter kundenspezifisch angepasst werden.

Funktionen / Technische Spezifikationen

• Produkttyp: Bearbeitungs- und Schneiddienstleistungen für große photovoltaische Siliziumwafer (Wafer-Verarbeitung).
• Hauptfokus: Reduktion von Drahtspuren und Total Thickness Variation (TTV) zur Verbesserung von Erscheinungsbild und Ausbeute großer, dünner Wafer.
• Unterstützte Formate und Beispielgrößen: 182.2×182.2 mm, 182×183.75 mm, 182.2×183.75 mm, 182.3×210 mm, 210×210 mm, 210×105 mm, 182.3×105 mm, rechteckige Wafer, Halbwafer und weitere kundenspezifische Abmessungen.
• Dickenbereiche und Toleranzen: Beispiele 150±10 μm, 130±8 μm, 110+15/-10 μm, 130±10 μm (je nach Typ/Größe).
• TTV (Total Thickness Variation): typischerweise ≤20 μm oder ≤25 μm je nach N/P-Typ und Größe.
• Saw mark (Oberflächen-Drahtspuren): typischerweise ≤12.5 μm für die aufgeführten Typen.
• Resistivitätsbereiche (Beispiele): 0.3–2.1 Ω·cm, 0.4–1.1 Ω·cm, 0.4–1.6 Ω·cm, 0.6–1.6 Ω·cm (je nach Wafer-Typ/Größe).
• MCLT (minority carrier lifetime) Beispiele: ≥70 μs, ≥1000 μs, ≥4000 μs für spezifische Konfigurationen.
• Sauerstoffgehalt Beispiele: ≤15 ppma, ≤11 ppma, ≤14 ppma, ≤13 ppma (variiert je nach Typ).
• Kohlenstoffgehalt: ≤1 ppma für alle aufgelisteten Typen.
• Anpassung: Wafer können in Resistivität und visuellen Parametern kundenspezifisch angepasst werden.
• Servicekapazität: Bearbeitung und Schneiden für 182, 210, rechteckige und Halbwafer; Anlagen unterstützen die Verarbeitung größerer und dünnerer Wafer.