SMD-Fototransistor OIT25C

Silizium

OIT29 3-Kanal-Fototransistor-Anordnung 0,60 mm optisches Raster auf Kunststoff-SMD-Gehäuse Allgemeine Beschreibung OIT29 besteht aus einem Drei-Elemente-Silizium monolithische Anordnung von Fototransistoren. Die Fototransistoren haben einen gemeinsamen Kollektor, jeder Emitter steht als Pad zur Verfügung. Der Abstand der Silizium-Arrays beträgt 0,6 mm, während der elektrische Abstand der Komponenten 1,27 mm beträgt. Die aktive Fläche jedes Elements beträgt 0,2 x 0,45 mm. Das Verkapselungsmaterial ist ein hochwertiges mikroelektronisches transparentes Silikonharz: sein Transmissionswert ist zwischen 300 nm und 400 nm größer als 95%, während er im Bereich 400-900 nm sehr nahe an 100% liegt. Die Fototransistoren haben eine Antireflexbeschichtung, die garantiert eine gute spektrale Bandbreite (500-950nm) mit einer Spitzenempfindlichkeit bei 755nm. Die Hauptvorteile dieses Bauelements sind die hohe Gleichförmigkeit der Siliziumsensoren in allen elektro-optischen Parametern aufgrund des monolithischen Aufbaus und die hohe optische Empfindlichkeit aufgrund der auf den Flächen des Phototransistors abgeschiedenen Antireflexschicht Bewerbungen Optische Kodierer Inkremental-Encoder Optische Empfänger Steuerungen/Antriebe Merkmale Hohe Gleichförmigkeit von Siliziumzellen Hochtransparentes Harz Hoher Gewinn Sehr kleine Abmessungen Referenzpunkte auf Goldschicht für sehr präzise Ausrichtung Referenzbohrungen am Rahmen zur mechanischen Ausrichtung