- Elektrotechnik - Elektronik
- Elektronisches Bauteil
- Leistungschip
- Microchip Technology Inc.
Integrierte Schaltung / Leistung LND150MOSFET
Zu meinen Favoriten hinzufügen
Zum Produktvergleich hinzufügen
Eigenschaften
- Merkmal
- Leistung, MOSFET
Beschreibung
Der LND150 ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor im Verarmungsmodus (normalerweise eingeschaltet), der die laterale DMOS-Technologie nutzt. Das Gate ist ESD-geschützt. Der LND150 ist ideal für Hochspannungsanwendungen in den Bereichen Öffner, Präzisionskonstantstromquellen, Spannungsrampenerzeugung und Verstärkung.
Produktmerkmale
Frei von sekundären Durchschlägen
Geringe Antriebsleistung
Leichte Parallelisierung
Ausgezeichnete thermische Stabilität
Integrierte Source-Drain-Diode
Hohe Eingangsimpedanz und niedriger CISS
ESD-Gate-Schutz
Parametrik
BVdss min (V) - 500
Rds (ein) max (Ohm) - 1000
Vgs(aus) Min (V (Volt)) - -1,0
Vgs(aus) Max (V (Volt)) - -3.0
Gehäuse - SOT-23, TO-92, SOT-89
---
Kataloge
Für dieses Produkt ist kein Katalog verfügbar.
Alle Kataloge von Microchip Technology Inc. anzeigenWeitere Produkte von Microchip Technology Inc.
Interface and Connectivity
Verwandte Suchbegriffe
- Signalverstärker
- Microchip Leistungsverstärker
- Wireless-Modul
- Potentiometer
- Kompakter Wandler
- Serie-Wandler
- Industriewandler
- Manueller Potentiometer
- Quarzoszillator
- Microchip Spannungsverstärker
- DC-Verstärker
- Verstärker für Messinstrument
- Präzisionspotentiometer
- Wandler IC / Leistung
- Microchip Stromverstärker
- Digitaler Wandler IC
- Analoger Verstärker
- Microchip Mikrocontroller
- Rauscharmer Verstärker
- Schneller Wandler IC
* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.