- Elektrotechnik - Elektronik
- Elektronisches Bauteil
- Microchip Technology Inc.
Integrierte Schaltung / MOSFET LND150Stärke
Zu meinen Favoriten hinzufügen
Zum Produktvergleich hinzufügen
Eigenschaften
- Merkmal
- MOSFET, Stärke
Beschreibung
Der LND150 ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor im Verarmungsmodus (normalerweise eingeschaltet), der die laterale DMOS-Technologie nutzt. Das Gate ist ESD-geschützt. Der LND150 ist ideal für Hochspannungsanwendungen in den Bereichen Öffner, Präzisionskonstantstromquellen, Spannungsrampenerzeugung und Verstärkung.
Produktmerkmale
Frei von Sekundärdurchbrüchen
Geringe Antriebsleistung erforderlich
Leichte Parallelisierung
Ausgezeichnete thermische Stabilität
Integrierte Source-Drain-Diode
Hohe Eingangsimpedanz und niedriger CISS
ESD-Gate-Schutz
---
Kataloge
Für dieses Produkt ist kein Katalog verfügbar.
Alle Kataloge von Microchip Technology Inc. anzeigenWeitere Produkte von Microchip Technology Inc.
Interface and Connectivity
Verwandte Suchbegriffe
- Signalverstärker
- Leistungsverstärker
- Potentiometer
- Serie-Wandler
- Quarzoszillator
- Manueller Potentiometer
- Elektronischer Verstärker
- Wandler IC / Industrie
- Spannungsverstärker
- Verstärker für Messinstrument
- Präzisionspotentiometer
- DC-Verstärker
- Kompakter Wandler
- Wireless-Modul
- Wandler IC / Leistung
- Analoger Verstärker
- Mikrocontroller
- Stromverstärker
- Rauscharmer Verstärker
- Digitaler Wandler IC
* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.