Diese Belichtungseinheit kann Impulse so kurz wie 3 ns mit Energie von 2 bis µJ 10 erzeugen. Sie kann Impulsfrequenzrate in der Strecke 100-500 kHz, abhängig von Ertragenergie pro Impuls, mit einer maximalen durchschnittlichen Energie von 1 W. stützen.
Dieses Modul integriert eine Laserdiode, die direkt auf ein Fahrerbrett entsprechend einem Aufchiplaserdiodeentwurf angebracht wird, der dieses ultra-kompakte Versammlungsideal für Integration in begrenzte Volumen macht, und trägt ein hohes Potenzial für niedrige Kosten Produktion dieses Lasersenders. Verschiedene Parameter betreffend Laser-Emission und elektrische Schnittstelle können vom Kunden gewählt werden. Komponenten dieses Moduls sind vorgewählt worden, um die höchstmögliche Leistungsfähigkeit und geführt zu eine Leistungsaufnahme der geringen Energie und die hellste mögliche Emission zur Verfügung zu stellen. Die Zusatzausrüstung, die erfordert wird, um diese Belichtungseinheit, wie externe Stromversorgung und Funktionsgenerator zu betreiben, kann als Wahl zur Verfügung gestellt werden.
- Energie- und Impulsbreite von 2µJ/3ns zu 10µJ/3ns
- Maximale Impulsfrequenzrate zwischen 100 und 500 kHz
- Bis 1 durchschnittliche Energie W
- Einzelne Wellenlängenemission unter 808, 905, 915, 940 oder 980 Nanometer (andere Wellenlängen in der Wahl)
- Schnell-Achse Collimation auf Anfrage für Einstangendiodenentwurf
- Hohe Zuverlässigkeit (> 100 x 109 Schüsse)
- Robuster Entwurf, Schock und Erschütterung beständig
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