InGaAs-Fotodiode IAG Series
AvalanchePIN

InGaAs-Fotodiode
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Eigenschaften

Merkmal
InGaAs, Avalanche
Installierung
PIN

Beschreibung

InGaAs APD 1100 - 1700 nm Die InGaAs Lawinenfotodioden detektieren im Spektralbereich von 1100 nm bis 1700 nm. Im Vergleich zu Germanium Dioden haben sie ein deutlich geringeres Rauschen. InGaAs APD 1100 - 1700 nm Die InGaAs Avalanche Dioden der detektieren im Spektralbereich von 1100 nm bis 1700 nm. Die IAG-Serie zeichnet sich durch besonders hohe Zerstörschwellen aus. Lieferung im TO-46 Gehäuse. InGaAs Avalanche Photodioden InGaAs Avalanche Dioden detektieren im Spektralbereich von 1100 nm bis 1700 nm. Im Vergleich zu Germanium APDs haben InGaAs-APDs deutlich kleinere Rauscheigenschaften, bezogen auf die aktive Fläche eine höhere Bandbreite und Vorteile durch die angehobene Empfindlichkeit bis 1700 nm. Alle APDs im TO-46 Gehäuse können wahlweise mit optischer Faser konfektioniert werden. IAG-Serie Die IAG-Serie zeichnet sich durch die hohe Zerstörschwelle > 200 kW/cm² aus. Mit Detektorflächen von 80 µm, 200 µm und 350 µm liegt der Empfindlichkeitspeak bei 1550 nm.
* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.