Wafer-Ätzmaschine / Plasma SPTS Omega®

Die SPTS Omega® Rapier™ und DSi-v Prozessmodule bieten Hochgeschwindigkeits-Siliziumätzung für eine Vielzahl von Anwendungen. Beim tiefen reaktiven Ionenätzen (DRIE) von Silizium kommt der Bosch-Prozess zum Einsatz, bei dem die Plasmachemie wiederholt zwischen Ätz- (SF6) und Passivierungsschritten (C4F8) wechselt, um anisotropes Ätzen von Gräben oder Löchern in Silizium zu erzeugen. Mit einer installierten Basis von mehr als 1500 DRIE-Prozessmodulen verfügt KLA über jahrzehntelange Erfahrung im Bereich der tiefen Siliziumätzung für MEMS und andere Anwendungen. Der SPTS Rapier™ bietet ein duales Plasmaquellendesign mit unabhängig gesteuerten primären und sekundären entkoppelten Plasmazonen mit unabhängigen dualen Gaseinlässen. Dies führt zu einer hochkonzentrierten und gleichmäßigen Verteilung der Radikale, was hohe Ätzraten, eine ausgezeichnete Gleichmäßigkeit über die Wafer hinweg und die Kontrolle von CD, Profil und Feature-Neigung ermöglicht. Diese Leistung kann auf Wafern mit einem Durchmesser von bis zu 300 mm erzielt werden. Die inhärente Multimode-Flexibilität ermöglicht auch das komplementäre Oxid-Ätzen innerhalb der gleichen Hardware. Das SPTS DSi-v Modul bietet eine exzellente Silizium-Tiefenätzleistung für Anwendungen mit hoher Belastung. Das DSi-v eignet sich besonders für das Ätzen großer Kavitäten für Anwendungen wie Siliziummikrofone oder Drucksensoren. Der Rapier™ und das DSi-v sind beide mit den Omega® LPX-, c2L- oder fxP-Wafer-Handling-Plattformen kompatibel oder mit verschiedenen SPTS-Ätz- und Abscheidungsmodulen auf einer Versalis™-Cluster-Plattform integriert. Tiefes reaktives Ionenätzen (DRIE) von Si für die MEMS-Mikrobearbeitung, TSVs, Power Trenches, rückseitige Si-Vias Blanket-Si-Ätzen für die Offenlegung von Durchkontaktierungen und die Ausdünnung von Wafern Flaches Ätzen von Oxid MEMS Fortschrittliches Packaging Herstellung von RF-Geräten Herstellung von Leistungsbauelementen Photonik