Laserdioden-Barren / Hochleistung JDL-BAB-TE series
mit kontinuierlicher Wellemit quasi-kontinuierlicher WelleFestkörper

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Eigenschaften

Funktionsmodus
mit kontinuierlicher Welle, mit quasi-kontinuierlicher Welle
Technologie
Festkörper
Spektum
Nahinfrarot, NIR, Breitband
Anwendung
für medizinische Anwendungen, für optisches Pumpen, zur Materialbearbeitung, Hochleistung, Prozess
Weitere Eigenschaften
Hochleistung, Halbleiter, Dioden
Leistung

Max: 500 W

Min: 40 W

Wellenlänge

Max: 1.060 nm

Min: 760 nm

Beschreibung

Hochleistungs-Laserbarren für optisches Pumpen und Direktdiodenlaser (DDL) Anwendungen in der Materialbearbeitung, Medizin oder Sensorik Jenoptik hat Pionierarbeit in der Hochleistungs-Diodenlaser Technologie geleistet und bietet branchenführende Hochleistungs-Diodenlaser an, die im Spektralbereich von 760 nm bis 1060 nm emittieren. Wir produzieren unmontierte Laserbarren, die im Dauerstrich- (cw), Hartpuls- (hp)*, long-pulse- (lp)** und Quasi-Dauerstrichbetrieb (qcw) mit bis zu 300 W (cw)/500 W (qcw) optischer Ausgangsleistung arbeiten können. * Hartpuls bezeichnet hier eine Strom Modulation zwischen I = 0 bis Imax bei tON = 1 s Pulsdauer und 50 % Tastverhältnis ** long-pulse bezeichnet hier den Betrieb bei Pulsdauern im Bereich von tON ~ 5..100 ms und > 1 %Tastverhältnis Kundenspezifische epitaxierte Wafer für optoelektronische Nahinfrarot-Geräte (NIR) Unser Service für epitaxierte Wafer adressiert den Bedarf an Epi-Wafer-Strukturen auf der Basis von GaAs-Substraten und (Al, In, Ga) (As, P) Verbindungshalbleitern.

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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.