Automatisches Probenvorbereitungssystem IM5000

für SEMIonenstrahlätzenKühlung

Übersicht
Die Hitachi IM4000II- und IM5000-Ionenfrässysteme ermöglichen die präzise Probennahme für Rasterelektronenmikroskopie (REM) und verwandte Oberflächenanalysen. Geeignet für Metalle, Halbleiter, Polymere, Keramiken und mehrlagige Materialien liefern sie reproduzierbare Querschnitte und planpolierte Oberflächen mit minimalen Artefakten. Entwickelt für Forschung, industrielle Qualitätskontrolle und Materiallabore bieten beide Modelle schnelle, wiederholbare Ergebnisse für anspruchsvolle REM-Workflows.

Hauptmerkmale

• Hohe Abtragsrate: schnelle Materialbearbeitung bei harten Substraten.
• Querschnitts‑ und Flächenfräsen: flexible Bearbeitungsmodi für verschiedene Probenarten.
• Kryokühlung (optional): Schutz temperatursensibler Proben.
• Bedienerfreundliche Schnittstelle: Touchscreen und programmierbare Zyklen.
• SEM/AFM-Kompatibilität: Integration mit Hitachi- und Fremd-Mikroskopen; Air protection Holder Unit verfügbar.

Funktionen und Vorteile

• Durchsatz: IM4000II ≈ 500 μm/h (Si, 100 μm Vorsprung); IM5000 ≥ 1 mm/h (gleiche Bedingungen) zur Verkürzung der Vorbereitungszeit.
• Modusflexibilität: Querschnittsfräsen erzeugt glatte, unverzerrte Schnittflächen; Flächenfräsen entfernt Oberflächenartefakte und verbessert z. B. EBSD.
• Großflächen-Querschnittsfräsen (IM5000): gleichmäßiges Fräsen bis 10 mm Breite für große elektronische Bauteile und industrielle Proben.
• Kryo-Option: Temperaturregelung (0°C bis −100°C via LN2) zum Schutz von Polymeren, biologischen Proben und anderen wärmeempfindlichen Materialien.
• Strahlsteuerung: programmierbare intermittierende Bestrahlung (ON/OFF) und einstellbare Beschleunigungsspannung für strahlensensible Materialien.
• Workflow-Integration: Kompatibel mit Hitachi-SEM und Fremdsystemen; optionale Halter und Masken für inerte Übergaben und erhöhte Strahltoleranz.

Anwendungen

• Metalle & Legierungen — Mikrostrukturanalyse und Querschnitte.
• Batterien — Querschnitte von Elektroden und geschichteten Bauteilen.
• Elektronik & Halbleiter — Freilegen von Schichten und Schnittstellen in ICs und Bauteilen.
• Polymere & weiche Materialien — kryogegekühlte Präparation zur Vermeidung von Verformungen.
• Mehrschichtfilme & Beschichtungen — Zusammensetzungs- und Haftungsuntersuchungen.
• Har­te industrielle Materialien — Probenpräparation für REM und Oberflächenanalyse.

Spezifikationen (Zusammenfassung)
Verwendetes Gas : Ar (Argon)
Beschleunigungsspannung : IM4000II 0–6 kV | IM5000 0–8 kV
Max. Abtragsrate (Si, 100 μm Vorsprung) : IM4000II ≈ 500 μm/h | IM5000 ≥ 1 mm/h
Max. Fräsbreite : IM4000II nicht verfügbar | IM5000 bis 10 mm
Max. Probengröße : 20 mm (B) × 12 mm (T) × 8 mm (H)
Probenbewegungsbereich : X ±7 mm, Y 0 bis +3 mm
Ionenstrahl intermittierende Bestrahlung : programmierbar ON/OFF (1 s bis 59 min 59 s)
Schwenkwinkel : ±15°, ±30°, ±40°
Flächenfräsbereich : φ 32 mm; max. plan gefräste Probengröße φ 50 × 25 mm (H)
Drehzahl : 1 rpm, 25 rpm
Neigungsbereich : 0° bis 90°
Kühlungsregelung (optional) : 0°C bis −100°C via LN2

Technische Spezifikationen

• Gas: Argon (Ar).
• Beschleunigungsspannung: IM4000II 0–6 kV; IM5000 0–8 kV.
• Abtragsrate: IM4000II ≈ 500 μm/h; IM5000 ≥ 1 mm/h (Si, 100 μm Vorsprung).
• Großflächen-Querschnittsfräsen: IM5000 bis 10 mm; IM4000II nicht verfügbar.
• Maximale Probengröße und Flächenfräsdimensionen siehe oben.
• Programmierbare intermittierende Bestrahlung und einstellbare Strahlparameter für strahlensensible Materialien.
• Optionale Module: Kühlungsregelung, masken mit höherer Strahltoleranz, Stereo-Mikroskop-Einheit (15×–100×), Air protection Holder Unit und Montagezubehör.