Das Conductor Etch System der Serie M-8000 wird für das Ätzen von Hartmasken und Silizium für 32nm und darüber hinaus eingesetzt.
Hitachi High-Tech hat im Rahmen des JDP (Joint Development Program) mit Bauelementeherstellern und Material-/Werkzeuglieferanten neue Prozessabläufe entwickelt, wie z. B. die Doppelstrukturierung und neue Materialätzprozesse wie High-K-Dielektrikum/Metall-Gate.
Das Ätzsystem von Hitachi High-Tech bietet mit einer neuen Mikrowellen-ECR-Plasmaätzkammer (Elektronen-Zyklotron-Resonanz), einer Hochgeschwindigkeits-Wafer-Temperaturregelung und einer Hochvakuum-Absaugregelung eine hervorragende Profilkontrolle und CD-Gleichmäßigkeit innerhalb des Wafers.
Die AEC- (Advanced Equipment Control) / APC- (Advanced Process Control) Technologie von Hitachi High-Tech mit originellen Datenerfassungs-, Analyse- und Kontrollsystemen sorgt für hervorragende Produktivität und Zuverlässigkeit.
Anwendbarer Wafer-Durchmesser: 300 mm
System-Konfiguration: 4 Kammern (max.)
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