Silizium-Fotodiode S1114 series

Photodioden für die Detektion von Elektronenstrahlen Fotodioden zur Detektion von rückgestreuten Elektronen in Rasterelektronenmikroskopen (SEM). S11141-10 Hochempfindliche, direkte Detektion von Elektronenstrahlen niedriger Energie (1 keV oder mehr) Merkmale -Direkter Nachweis von Elektronenstrahlen niedriger Energie (1 keV oder mehr) mit hoher Empfindlichkeit -Hohe Verstärkung: 300-fach hohe Nachweisleistung: 72 % (einfallende Elektronenenergie: 1,5 keV) -Große lichtempfindliche Fläche: 10 × 10 mm -φ2,0 mm großes Loch in der Mitte der lichtempfindlichen Fläche -Dünnes Keramikgehäuse -Verwendet eine Leiterplatte aus weniger magnetischen Materialien S11142-10 Hohe Empfindlichkeit, direkter Nachweis von Elektronenstrahlen niedriger Energie (1 keV oder mehr) Merkmale -Direkter Nachweis von Elektronenstrahlen niedriger Energie (1 keV oder mehr) mit hoher Empfindlichkeit -Hohe Verstärkung: 300-fach hohe Nachweisleistung: 72 % (einfallende Elektronenenergie: 1,5 keV) -Große lichtempfindliche Fläche: 14 × 14 mm -φ2,0 mm großes Loch in der Mitte der lichtempfindlichen Fläche -4-Element-Fotodiode -Dünnes Keramikgehäuse -Verwendet eine Leiterplatte aus weniger magnetischen Materialien